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电子元器件详细资料 » IC[21334] » IPW50R190CE
型号:IPW50R190CE类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-247-3描述:MOSF N CH 500V 18.5A PG-TO247

详细参数

类别FET - 单
描述MOSF N CH 500V 18.5A PG-TO247
系列CoolMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)500V
电流_连续漏极(Id)0a025000C18.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C190 毫欧 @ 6.2A, 13V
Id时的Vgs(th)111最大2223.5V @ 510µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs6.1nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1137pF @ 100V
功率_最大127W
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
供应商设备封装PG-TO247-3
包装散装

IPW50R190CE相关型号

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